Produsen semikonduktor Infineon berhasil memproses wafer silicon carbide (SiC) berukuran 300 milimeter untuk pertama kalinya dalam kondisi produksi nyata di pabriknya di Villach, Austria. Pencapaian ini menjadikan Infineon sebagai produsen pertama yang berhasil meraih pencapaian tersebut di industri manufaktur semikonduktor dengan memanfaatkan fasilitas produksi yang sudah ada.
Peningkatan Efisiensi dan Kapasitas Chip
Penggunaan wafer berdiameter lebih besar ini memberikan peningkatan hasil produksi secara signifikan. Berdasarkan keterangan Infineon kepada electrive.com, wafer 300 mm mampu menghasilkan cip sekitar 2,3 kali lebih banyak dibandingkan dengan wafer berukuran 200 mm. Peningkatan ini memungkinkan skala produksi dikembangkan lebih efisien di masa depan.
Meski demikian, pihak pabrikan belum menetapkan linimasa pasti terkait peningkatan volume produksi massal tersebut. Penentuan jadwal akan dilakukan bersama para mitra dan konsumen, sementara penerapan rencana produksi SiC pada wafer 200 mm yang sudah berjalan akan tetap dilanjutkan.
Selain fokus pada Villach, Infineon juga mengembangkan metode pembuatan wafer yang lebih efisien di lokasi Dresden. Perusahaan telah menguji teknologi cold-split pada SiC 300 mm untuk memisahkan wafer dari kristal SiC dengan tingkat pembuangan material yang lebih rendah serta waktu pemrosesan lebih singkat dibanding teknik pemotongan kawat konvensional.
Peran Penting SiC bagi Industri Kendaraan Listrik
Bahan silicon carbide merupakan salah satu material wide-bandgap terpenting dalam perangkat elektronik daya saat ini. Dibandingkan silikon biasa, SiC dapat mengurangi kehilangan daya, meningkatkan kerapatan daya, serta beroperasi dengan efisien pada tingkat tegangan dan suhu yang tinggi.
Komponen berbasis SiC banyak diaplikasikan pada traction inverter, pengisi daya di dalam kendaraan (on-board charger), hingga infrastruktur stasiun pengisian daya kendaraan listrik. Material ini juga digunakan untuk sistem penyimpanan energi stasioner dan penggerak industri.
Bagi ekosistem mobilitas listrik, lompatan ke wafer 300 mm berpotensi menurunkan biaya manufaktur komponen dalam jangka panjang karena lebih banyak cip dihasilkan dalam satu putaran produksi. Namun, Infineon belum merilis perkiraan penurunan harga secara spesifik untuk tiap komponen.
Pengembangan ini memperkuat strategi wafer 300 mm yang sedang berjalan di Villach. Di lokasi tersebut, Infineon telah memproses transisi wafer 200 mm ke 300 mm untuk bahan gallium nitride (GaN) serta mengumumkan rencana investasi bernilai sekitar 1,1 miliar euro hingga tahun 2034, di mana produksi massal semikonduktor GaN 300 mm dijadwalkan mulai berjalan pada akhir 2027.
Dengan masuknya SiC ke dalam lini produksi berukuran 300 mm, Infineon kini menerapkan teknologi manufaktur ini pada tiga bahan utama semikonduktor daya, yaitu silikon, gallium nitride, dan silicon carbide.
Sumber: electrive.com
