Produsen semikonduktor Infineon dilaporkan telah berhasil memproses wafer Silicon Carbide (SiC) berukuran 300 mm menjadi perangkat daya yang berfungsi penuh. Pencapaian teknis ini menjadi langkah penting dalam pengembangan komponen elektronika daya untuk kendaraan listrik dan berbagai aplikasi energi.
Inovasi Semikonduktor Kendaraan Listrik
Seperti dilaporkan Charged EVs, pemrosesan wafer SiC ukuran 300 mm ini memungkinkan peningkatan efisiensi produksi serta kapasitas chip semikonduktor daya. Penggunaan material SiC berukuran lebih besar tersebut diharapkan dapat mengoptimalkan kinerja dan efisiensi energi pada sistem kelistrikan kendaraan listrik.
Selain pengembangan wafer SiC 300 mm, Infineon juga menyiapkan fasilitas produksi massal untuk chip daya Gallium Nitride (GaN) berukuran 300 mm yang berlokasi di Austria.
Sumber: Charged EVs
